Analysis of Dislocations in PVT-Grown 6H-SiC through Grazing-Incidence X-Ray Topographic Images and Ray-Tracing Simulation
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Veröffentlicht in: | Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) and GaN and SiC Power Technologies (2020 : Online) Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 63 (SOTAPOCS 63) and GaN and SiC Power Technologies 10 |
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Pages: | 63 |
Format: | UnknownFormat |
Sprache: | eng |
Veröffentlicht: |
2020
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ISBN: | 9781713819387 |
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