(Invited) P-Type and N-Type Channeling Ion Implantation of SiC and Implications for Device Design and Fabrication

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) and GaN and SiC Power Technologies (2020 : Online) Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 63 (SOTAPOCS 63) and GaN and SiC Power Technologies 10
1. Verfasser:	Das, H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Sunkari, S. (VerfasserIn), Justice, J. (VerfasserIn), Malousek, R. (VerfasserIn), Chochol, J. (VerfasserIn), Wada, R. (VerfasserIn), Kuroi, T. (VerfasserIn)
Pages:	63
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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