Role of AIN spacer layer and GaN back barrier on the optoelectronic properties of AIGaN/AIN/ InGaN/GaN high electron mobility transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	DAE Solid State Physics Symposium (64. : 2019 : Jodhpur) DAE Solid State Physics Symposium 2019 ; C
1. Verfasser:	Taya, Payal (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Chatterjee, Abhishek (VerfasserIn), Bose, A. (VerfasserIn), Singh, V. K. (VerfasserIn), Tyagi, Renu (VerfasserIn), Sharma, T. K. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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