Change of GeTe/Sb2Te3 Thin-Film Memory Elements Resistance RON Under External Pressure

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ICCS (2020 : Online) Comprehensible science
1. Verfasser:	Troyan, Evgeniy (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Doronin, Alexander (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
Schlagworte:
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