Transient Performance of >10kV SiC IGBT with an Optimized Retrograde p-Well

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Tiwari, A. K. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Antoniou, M. (VerfasserIn), Trajkovic, T. (VerfasserIn), Dai, T. (VerfasserIn), Gammon, P. M. (VerfasserIn), Udrea, F. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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