4H-SiC MOSFET Source and Body Laser Annealing Process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Calabretta, C. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Agati, M. (VerfasserIn), Zimbone, M. (VerfasserIn), Boninelli, S. (VerfasserIn), Castiello, A. (VerfasserIn), Pecora, A. (VerfasserIn), Fortunato, G. (VerfasserIn), Calcagno, L. (VerfasserIn), Torrisi, L. (VerfasserIn), Via, F. La (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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