Surface Treatment of 4H-SiC MOSFET'S Prior to Al2 O3 Deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Idris, M. I. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Horsfall, A. B. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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