Review and Detail Classification of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer by Mirror Projection Electron Microscopy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser: Ohira, K. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Isshiki, T. (VerfasserIn), Sako, H. (VerfasserIn), Hasegawa, M. (VerfasserIn), Kobayashi, K. (VerfasserIn), Onuki, K. (VerfasserIn)
Pages:2019
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2020
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