Review and Detail Classification of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer by Mirror Projection Electron Microscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Ohira, K. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Isshiki, T. (VerfasserIn), Sako, H. (VerfasserIn), Hasegawa, M. (VerfasserIn), Kobayashi, K. (VerfasserIn), Onuki, K. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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