Novel Low Temperature (≥300°C) Annealing of Amorphous Si by Scanned High Energy (~2.5 MeV) Heavy Ion Beam

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Conference on Solid State Devices (13 : 1981 : Tokio) Proceedings of the 13th Conference on Solid State Devices
1. Verfasser:	NAKATA, J. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	KAJIYAMA, K. (VerfasserIn)
Pages:	13
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1982
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