A Direct Nitradation and Sequential Oxidation Process for 2.5nm Thick Gate Dielectric and its MOSFET Characteristics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (53 : 1997 : Tokio) 53. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū
1. Verfasser:	Yamamoto, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ogura, T. (VerfasserIn), Saito, Y. (VerfasserIn), Uwasawa, K. (VerfasserIn), Tatsumi, T. (VerfasserIn), Mogami, T. (VerfasserIn)
Pages:	53
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1997
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