SiON Gate Insulators for Sub-100nm CMOS - Film Properties and Device Characteristics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (60 : 2001 : Osaka) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-60.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Toyoshima, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Fujiwara, M. (VerfasserIn), Takayanagi, M. (VerfasserIn), Shimizu, T. (VerfasserIn)
Pages:	60
Format:	UnknownFormat
Sprache:	jpn
Veröffentlicht:	2001
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