Optoelectronic applications of heavily doped GaAs and MoSe2/FePS3 heterostructures

Dissertation, Technische Universität Dresden, 2022

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Duan, Juanmei (VerfasserIn)
Körperschaft: Technische Universität Dresden (Grad-verleihende Institution)
Weitere Verfasser: Helm, Manfred (AkademischeR BetreuerIn), Zahn, Dietrich R. T. (AkademischeR BetreuerIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Dresden 14.01.2022
Schlagworte:
Hochschulschrift > Plasmonik > Halbleiterbauelement > Infrarot-Spektrum > Detektor > UV-VIS-Spektroskopie > Dotierung > Galliumarsenid > Zweidimensionales Material > Übergangsmetalldichalkogenide > Molybdändiselenid
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
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