An Analytical Model for AIGaN/GaN MOS-HEMT for High Power Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	International Conference on Physics and Mechanics of New Materials and their Applications (2019 : Hanoi) Advanced materials
1. Verfasser:	Do, Nguyen-Trung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Thoan, Nguyen-Hoang (VerfasserIn), Quang, Tran Minh (VerfasserIn), Tuan, Dao Anh (VerfasserIn), Trung, Nguyen-Ngoc (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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