Effect of Growth Parameters on MoS2 Film Quality Deposited by Low-Temperature MOCVD Using I-Pr2dadmo(CO)3 and (t-C4H9)2S2

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics" (18. : 2021 : Online) Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 18
1. Verfasser:	Kirito, C. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yamazaki, K. (VerfasserIn), Hibino, Y. (VerfasserIn), Hashimoto, Y. (VerfasserIn), Machida, H. (VerfasserIn), Ishikawa, M. (VerfasserIn), Sudoh, H. (VerfasserIn), Wakabayashi, H. (VerfasserIn), Yokogawa, R. (VerfasserIn), Ogura, A. (VerfasserIn)
Pages:	18
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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