Effect of Inductively Coupled Electromagnetic Field on Bottom Oxide Etch in a High Aspect Ratio Trench

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS Meeting (239. : 2021 : Online) (11.) Silicon Compatible Emerging Materials, Processes, and Technologies for Advanced CMOS and Post-CMOS Applications 11
1. Verfasser:	Sardo, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Palombizio, A. (VerfasserIn), Mannarino, M. (VerfasserIn), Redolfi, A. (VerfasserIn), Haspeslagh, L. (VerfasserIn)
Pages:	11
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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