Computational Analysis of Joule Heating Effect in Triple Material Gate AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS Meeting (239. : 2021 : Online) (22.) Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 22
1. Verfasser:	Kashem, M. T. B. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Subrina, S. (VerfasserIn)
Pages:	22
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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