Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	GLSVLSI (29. : 2019 : Tysons Corner, Va.) GLSVLSI'19
1. Verfasser:	Cai, Hao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Shan, Menglin Han Weiwei (VerfasserIn), Yang, Jun (VerfasserIn), Wang, You (VerfasserIn), Kang, Wang (VerfasserIn), Zhao, Weisheng (VerfasserIn)
Pages:	19
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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