Ferroelectric-gate field effect transistor memories device physics and applications

This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory has interesting fundamental device physics an...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Weitere Verfasser:	Park, Byung-Eun (HerausgeberIn), Ishiwara, Hiroshi (HerausgeberIn), Okuyama, Masanori (HerausgeberIn), Sakai, Shigeki (HerausgeberIn), Yoon, Sung-Min (HerausgeberIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Singapore Springer 2020
Ausgabe:	Second edition
Schriftenreihe:	Topics in applied physics volume 131
Schlagworte:	Field-effect transistors > Ferroelectric thin films > Ferroelektrischer Transistor
Online Zugang:	1850-9999
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