Gate-All-Around Nanowire & Nanosheet FETs for Advanced, Ultra- Scaled Technologies

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS Meeting (237. : 2020 : Montréal) (19.) Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 19
1. Verfasser:	Veloso, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Matagne, P. (VerfasserIn), Jang, D. (VerfasserIn), Huynh-Bao, T. (VerfasserIn), Chasin, A. (VerfasserIn), Simoen, E. (VerfasserIn), Eneman, G. (VerfasserIn), Keersgieter, A. De (VerfasserIn), Mertens, H. (VerfasserIn), Horiguchi, N. (VerfasserIn)
Pages:	19
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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