Basal Plane Dislocation Conversion Enhancement in 4H-SiC Homo-Epitaxial Layers by Ion Implantation into the Wafer

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Hóchbauer, C. Heidorn. R. Esteve. T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Krieger, M. (VerfasserIn), Weber, H. B. (VerfasserIn), Rupp, R. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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