Digitally Adjustable Gate Resistor Concept for Automated and Time-Saving Switching Characterisation of Power Semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	PCIM Europe (Veranstaltung : 2019 : Nürnberg) PCIM Europe 2019
1. Verfasser:	Meissner, Michael (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Fahlbusch, Sebastian (VerfasserIn), Lipke, Tobias (VerfasserIn), Hoffmann, Klaus F. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:	CD-ROM
Online Zugang:	Volltext
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Titel	Jahr	Verfasser
Conducted EMC Emission of a PWM Full Bridge Inverter Using Silicon Carbide MOSFETs in High Temperature Environments	2019	Bröcker, Felix
Analysis and Optimization of an Inverse Coupled Inductor in a High Frequency LLC Converter with Current Doubler Rectifier	2019	Klötzer, Sebastian
Digitally Adjustable Gate Resistor Concept for Automated and Time-Saving Switching Characterisation of Power Semiconductors	2019	Meissner, Michael