Switch-level timing simulation of MOS VLSI circuits
Gespeichert in:
| Weitere Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | eng |
| Veröffentlicht: |
Boston u.a.
Kluwer Academic Publishers
1989
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| Schriftenreihe: | Kluwer international series in engineering and computer science
66 : VLSI, computer architecture and digital signal processing |
| Schlagworte: |
Integrated circuits
> Very large scale integration
> Electronic equipment. Very large scale metal oxide semiconductor integrated circuits. Simulations
> Integrated circuitsVery large scale integration++Simulation methods
> Metal oxide semiconductors++Simulation methods
> s.MOS-VLSI-Schaltung ++ s.Computersimulation
> VLSI
> MOS-Schaltung
> Simulation
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