Measurement of the drift velocities of electrons and holes in high-ohmic <100> silicon

Zugl.: Hamburg, Univ., Masterarbeit, 2014

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Scharf, Christian (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Hamburg, Zeuthen DESY 2014
Schriftenreihe:DESY Thesis 2014-015
Schlagworte:
Silicium > Einkristall > Elektronischer Transport > Flugzeitspektrometrie > Hochschulschrift > Forschungsbericht
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
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