Ab initio Berechnung elektrischer Eigenschaften von Dielektrika für neuartige Gate-Isolator-Schichtsyteme zukünftiger MOSFETs

Dissertation, Technische Universität Chemnitz, 2009

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Plänitz, Philipp (VerfasserIn)
Körperschaften:	Technische Universität Chemnitz (Grad-verleihende Institution), GWT-TUD GmbH (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Auerbach/Vogtland Verlag Wissenschaftliche Scripten 2010
Schriftenreihe:	Forschung für die Praxis Band 1
Schlagworte:	Forschungsbericht > Hochschulschrift > High-k-Dielektrikum > Elektronische Eigenschaft > Ab-initio-Rechnung > MOS-FET > Siliciumoxide > Dichtefunktionalformalismus > Amorpher Halbleiter > Gate > Isolatorbauteil > Mehrschichtsystem
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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