Optische Eigenschaften und Transporteffekte bei AIIBVI-Verbindungen

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Zuechtung und Eigenschaften von Halbleiterwerkstoffen
1. Verfasser: Klier, E. (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1975
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Titel Jahr Verfasser
Kinetische Untersuchungen zum Gasphasentransport des siliziums im System Zn-Si-P 1975 Wetzel, Falk
Metallographische und röntgenographische Untersuchungen zur Realstruktur von ZnSiP2 1975 Oettel, Heinrich
Zur Bandstruktur von AIIBIVC2V-Halbleitern 1975 Heinrich, Armin
Neue Methoden zur Züchtung von Halbleiterkristallen 1975 Wilke, K.-Th.
Analyse der Versetzungsstruktur von binären Verbindungshalbleitern mit Zinkblendestruktur 1975 Bautsch, H.-J.
Herstellung und Eigenschaften thermoelektrische Substanzen auf der Basis von dotierten Bi2Te3-Bi2Se3-Verbindungen 1975 Sotirova, M.
Makroverteilung der Hauptkomponenten bei der gerichteten Kristallisation von eutektischen Stoffsystemen 1975 Nguyen Dac Loc
Halbleitereigenschaften ternärer AIIBIVC2V-Verbindungen 1975 Boudriot, Heinz
Halleffekt- und Leitfähigkeitsuntersuchungen an ternären Verbindungshalbleitern 1975 Siegel, Winfried
Einfluß der Züchtungsbedingungen auf die Morphologie von gasphasengezüchteten SiC-Kristallen 1975 Pampuch, R.
Zum Sauerstoff- und V4O10-Gleichgewichtsdruck über Vanadinpentoxid 1975 Oppermann, Heinrich
Optische Eigenschaften und Transporteffekte bei AIIBVI-Verbindungen 1975 Klier, E.
Thermodynasmische Grundlagenuntersuchungen zur Synthese von halbleitenden Verbindungen 1975 Kolb, Jürgen
Untersuchung der Bandstruktur der ternären Verbindungshalbleiter AIIBIVC2V mittels der Methoden der Modulationsspektroskopie 1975 Schileika, A.
Herstellung und elektrische Eigenschaften von GaP, ZnGeP2 und ZnSiP2 1975 Somogyi, K.
Analyse von Hallmessungen und zur Beweglichkeit in GaP 1975 Somogyi, K.
Halbleiterelemente in der Tensometrie 1975 Valenta, S.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen zum Umwandlungsverhalten und der Realstruktur von ZnSiP2 1975 Pasemann, Monika
Zur Katodolumineszenz ternärer Verbindungshalbleiter vom Typ AIIBIVC2V 1975 Becherer, Hartmut
Ladungsträgersteuerung und elektrische Eigenschaften von epitaxialem GaAs aus der flüssigen Phase 1975 Pödör. P.
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