Protonenrückstreumessungen an ZnSiP2-Einkristallen

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Veröffentlicht in:	Herstellung, Struktur und Eigenschaften von ZnSiP2
1. Verfasser:	Kirsten, Peter (VerfasserIn)
Pages:	2
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1980
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Titel	Jahr	Verfasser
Strukturelle Eigenschaften der Verbindungen des Typs II-IV-V2, insbesondere von ZnSiP2	1980	Oettel, Heinrich
Energieverlustfunktion und optische Eigenschaften von ZnSiP2 im Energiebereich 5 bis 40 eV	1980	Boudriot, Heinz
Elektrische und fotoelektrische Eigenschaften von ZnSiP2	1980	Siegel, Winfried
Elektrolumineszenz in ZnSiP2-Schottkydioden	1980	Siegel, Winfried
Über II-IV-V2-Halbleiter und Möglichkeiten ihrer Anwendung	1980	Boudriot, Heinz
Zur Kristallzüchtund von Substanzen in II-IV-V-Systemen unter besonderer Berücksichtigung von ZnSiP2	1980	Winkler, K.
Untersuchungen zur Ausheilung von Strahlenschäden in ausgewählten Verbindungshalbleitern	1980	Unterricker, Sepp
Adsorptions- und Lumineszenzuntersuchungen an ZnSiP2	1980	Becherer, H.
Brechungsindex und Doppelbrechung von ZnSiP2 im sichtbaren Spektralgebiet	1980	Boudriot, Heinz
Elektronische Bandstruktur ternärer Chakopyrithalbleiter	1980	Cordts, Wolfgang
Destriau-Effekt bei ZnSiP2	1980	Boudriot, Heinz
Protonenrückstreumessungen an ZnSiP2-Einkristallen	1980	Kirsten, Peter
Untersuchungen an der Phasenkombination ZnSnP2/ZnSiP2	1980	Pietzsch, Claus
Zur Oberflächenstruktur von Wachstums- und UHV-Bruchflächen des ZnSiP2	1980	Freund, H.-P.
Phononen in ausgewählten ternären Chalkopyriten	1980	Deus, Peter