Schnelle und grossflächige Kristallisation von Silizium auf Graphit und b-Eisendisilizid auf (111)-Silizium mit einer Linienelektronenstrahlquelle für photovoltaische Anwendungen

Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Arbeitsbereich Halbleitertechnologie, Diss., 1993

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Pauli, Matthias (VerfasserIn)
Körperschaft: Technische Universität Hamburg-Harburg Arbeitsbereich Halbleitertechnologie (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Müller, Jörg (BerichterstatterIn), Paul, Reinhold (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1994
Schlagworte:
Hochschulschrift > Eisendisilicid > Silicium > Heterostruktur > Elektronenstrahl > Dünnschichtsolarzelle > Halbleiterschicht > Siliciumhalbleiter > Kristallisation > Tempern
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Beschreibung
Zusammenfassung:Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Arbeitsbereich Halbleitertechnologie, Diss., 1993
Beschreibung:171 S
Ill., graph. Darst
21 cm