Diffusion ionenimplantierter 4d und 5d Übergangsmetalle in GaAs, GaP und InP

Berlin, Univ., Diss. : 1993

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Knecht, Andrea Annette (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	1993
Schlagworte:	Hochschulschrift > Drei-Fünf-Halbleiter > Tiefe Störstelle > Diffusion > Übergangsmetall
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Berlin, Univ., Diss. : 1993
Beschreibung:	Mikroreprod. eines Ms. Getr. Zählung : graph. Darst
Beschreibung:	24 Mikrofiches 24x