Group III-nitride nanowires for optoelectronic control of nitrogen-vacancy centers in diamond

Dissertation, Technische Universität München, 2018

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hetzl, Martin (VerfasserIn)
Körperschaft:	Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Herausgebendes Organ)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Garching Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e. V. 2018
Ausgabe:	1. Auflage
Schriftenreihe:	Selected topics of semiconductor physics and technology vol. 213
Schlagworte:	Hochschulschrift > Stickstoffverbindungen > Borgruppenverbindungen > Nanodraht > Heterostruktur > Diamant > Störstelle > Keimbildung > Photolumineszenzspektroskopie > Kelvin-Sonde > Computersimulation
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Keine Ergebnisse!