Group III-nitride nanowires for optoelectronic control of nitrogen-vacancy centers in diamond

Dissertation, Technische Universität München, 2018

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hetzl, Martin (VerfasserIn)
Körperschaft:	Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Herausgebendes Organ)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Garching Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e. V. 2018
Ausgabe:	1. Auflage
Schriftenreihe:	Selected topics of semiconductor physics and technology vol. 213
Schlagworte:	Hochschulschrift > Stickstoffverbindungen > Borgruppenverbindungen > Nanodraht > Heterostruktur > Diamant > Störstelle > Keimbildung > Photolumineszenzspektroskopie > Kelvin-Sonde > Computersimulation
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dissertation, Technische Universität München, 2018
Beschreibung:	x, 231 Seiten Illustrationen, Diagramme
ISBN:	9783946379133 978-3-946379-13-3