Herstellung und Optimierung von Hetero-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in integrierten optischen Empfängern im Wellenlängenbereich von 1,3 bis 1,55 mym

Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1991

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Pitz, Gerhard (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1992
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Fortschrittberichte VDI Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik 137
Schlagworte:	Hochschulschrift > Photodetektor > Integrierte Optoelektronik > Bipolartransistor > Heterostruktur-Bauelement > Breitband-ISDN
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1991
Beschreibung:	Literaturverz. S. 104 - 122
Beschreibung:	V, 131 S Ill., graph. Darst 21 cm
ISBN:	3181437093 3-18-143709-3