Excitation-enhanced dislocation mobility in semiconductors microscopic mechanism

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Maeda, Narihiko (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Takeuchi, Shin (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Tokyo Inst. for Solid State Physics, Univ. 1989
Schriftenreihe:	Technical report of ISSP. Series A 2131
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