Oxidationsverhalten von drucklos gesintertem Siliciumcarbid.

Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 17 - Werkstoffwiss., Diss., 1986

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kim, Hyŏng-sik (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Berlin 1986
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!