Modellrechnungen zum Einfluss von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt Transistoren aus a-Si:H

Marburg, Univ., Diss. : 1990

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Saleh, Rosari (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Marburg 1990
Schlagworte:	Hochschulschrift > Silicium > Amorpher Zustand > Wasserstoff > Feldeffekttransistor > Dünnschichttransistor > Zustandsdichte
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