Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel

Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 04 - Physik, Diss. : 1979

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Voss, Rainer (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	1979
Schlagworte:	Hochschulschrift
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