Robust design of DRAM core circuits yield estimation and analysis by a statistical design approach

München, Techn. Univ., Diss., 2010

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Li, Yan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2010
Schlagworte:	Schaltungsanalyse > Leseverstärker > Chip > CMOS > Dynamisches RAM > Schaltungsentwurf > Speicherzelle > Leckstrom > Hochschulschrift
Online Zugang:	Volltext https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20100129-992644-1-3
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Beschreibung
Zusammenfassung:	München, Techn. Univ., Diss., 2010
Beschreibung:	IX, 127 S. graph. Darst.