Untersuchungen über das Hochfrequenzverhalten von bipolaren und Mosfet-Transistoren

1. Storage time of saturated transistors. 2. Distributed mosfet amplifier using microstrip. Diss. Naturwiss. Basel 1973. - 25 cm. fig. Hb 9507<br>(SA. aus: International journal of electonics, Vol. 34, Nr. 3. 1973, S. 289-304. und Vol. 34, Nr. 6.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schär, Fritz (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1973
Schlagworte:
Bipolartransistor > Hochfrequenz > MOS-FET > Modell
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