Siliziumkarbid (4H) Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente

Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2002

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kuhn, Harald (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 2002
Schlagworte:
Polytypie > Siliciumcarbid > Elektronisches Bauelement > Störstelle > Hochschulschrift
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