MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich

Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1999

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Horstmann, John Thomas (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1999
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 300
Schlagworte:	MOS > Halbleitertechnologie > Nanometerbereich > Hochschulschrift
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!