Oberflächentopologien von GaAs(001) Schichten und ihr Wachstum während der Flüssigphasenepitaxie

Zugl.: Hamburg, Univ., Diss., 1995

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Marek, Tamas (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1996
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 222
Schlagworte:	Galliumarsenid > Reflexionselektronenmikroskopie > Schichtwachstum > Flüssigphasenepitaxie > Hochschulschrift
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