Technologieentwicklung und Charakterisierung des Hochtemperatur-Hochfrequenz-Heterostruktur-Bipolar-Transistors auf AlGaAs-GaAs bis zu 673 K

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Lee, Woo Young (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1995
Schlagworte:	Galliumarsenid > Aluminiumarsenid > Hochtemperaturverhalten > Hochfrequenztransistor > Heterobipolartransistor > Metall-Halbleiter-Kontakt > Hochschulschrift
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Beschreibung
Beschreibung:	Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1995
Beschreibung:	VI, 142 S. Ill., graph. Darst.