Reaktionsdiffusion in Metall-GaAs-Kontakten aus der Sicht ternärer Ga-As-M-Phasengleichgewichte (M = W, Re, Si, Mo, Ta und Ti)

Reaktionsdiffusion in Metall-GaAs-Kontakten aus der Sicht ternärer Ga-As-M-Phasengleichgewichte (M = W, Re, Si, Mo, Ta und Ti)

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Han, Qiang (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:und
Veröffentlicht: Düsseldorf VDI Verl. 1993
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 5] 287
Schlagworte:
Diffusion > Ternäres System > Metall > Phasengleichgewicht > Grenzfläche > Galliumarsenid > Hochschulschrift
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