Herstellung und Optimierung von Hetero-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in integrierten optischen Empfängern im Wellenlängenbereich von 1,3 bis 1,55 mym

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Pitz, Gerhard (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1992
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 137
Schlagworte:	Photodetektor > Integrierte Optik > Heterobipolartransistor > Hochschulschrift
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