Generation von Oxidladungen und Phasengrenzzuständen im MOS-System durch Tunnelinjektion und ionisierende Bestrahlung

Dissertation, Technische Universität Berlin, 1983

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Knoll, Meinhard (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin 1983
Schlagworte:	Tunnelinjektion > Oxidladung > MOS > MOS-Schaltung > Ionisation > Strahlenbelastung > Hochschulschrift
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