Schichtwachstum und elektronische Defekteigenschaften von CuInS2-Absorberschichten aus dem sequentiellen Prozeß
Zugl.:Berlin, Freie Univ., Diss., 2000
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Berlin
HMI
2000
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen Keine Ergebnisse!