Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente

Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1996

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Mottok, Jürgen
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Schlagworte:	Leistungshalbleiter > Siliciumcarbid > Polytypie > Wide-bandgap Halbleiter > Finite-Elemente-Methode
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