Herstellung und ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, SiGe-Mischkristallen und Si-Ge Übergittern

Stuttgart, Univ., Diss., 1989

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Alonso, Maria I.
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Schlagworte:	Raman-Spektroskopie > Siliciumverbindungen > Übergitter > Dünne Schicht > Epitaxie > Germanium > Germaniumverbindungen
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