Formation Technology of Low Dielectric Constant SiOF Film Using C2F6: Additional PECVD System

von Usami, T.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (45. : 1993 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 45kai Shinpojiumu (1993)

Effects of Germanium Oxide Doping to TEOS-O2 CVD SiO2

von Yoshie, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (46 : 1994 : Tokio) 46. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū (1994)

A Low-Temperature Deposition of RF-sputtered (Ba, Sr) TiO3 Thin Films for ULSI DRAM Applications

von Takehiro, S.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (51 : 1996 : Tokio) 51. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū (1996)

Properties of Ta2 O5 Capacıtor Deposited on Ru Electrode Electric

von Kishiro, K.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (54 : 1998 : Tokio) 54. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū (1998)

THE FLOW AND OTHER PROPERTIES OF BPSG

von Matsuhashi, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (29. : 1985 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 29kai Shinpojiumu (1985)

The Dependence of PE-CVD Titanium Polycide Gate Dielectric Strengths on The Silicon Under Layer Crystallization

von Chen, S.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (39. : 1990 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 39kai Shinpojiumu (1989)

Application of SiO2 — Nanocrystal Thin Films to Low-K Dielectrics

von Kihara, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (60 : 2001 : Osaka) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-60.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2001)