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1

SiON Gate Insulators for Sub-100nm CMOS - Film Properties and Device Characteristics

von Toyoshima, Y.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (60 : 2001 : Osaka) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-60.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2001)

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2

Low-Resistivity W/WSiN/poly-Si “Polymetal” Gate Electrode Technology

von Akasaka, Y.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (56 : 1999 : Osaka) 56.-Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (1999)

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3

SALICIDE Process for sub-0.15 μm Devices

von Iinuma, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (55 : 1998 : Tokio) 55. Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (1998)

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